Four tubulaire rotatif à double zone haute température 1500°C avec chauffage au carbure de silicium pour la synthèse de matériaux avancés

Four tubulaire

Four tubulaire rotatif à double zone haute température 1500°C avec chauffage au carbure de silicium pour la synthèse de matériaux avancés

Numéro d'article: TU-GS04

Température maximale: 1500°C (Zones doubles) Type d'élément chauffant: Tiges en carbure de silicium (SiC) haute densité Stabilité de la température: ±1°C
Qualité Assurée Fast Delivery Global Support

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Présentation du produit

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Ce four tubulaire rotatif à double zone haute performance représente le summum de la technologie de traitement thermique, spécifiquement conçu pour les chercheurs en science des matériaux et les fabricants industriels qui exigent des gradients de température précis et un contrôle atmosphérique exceptionnel. En intégrant un mécanisme rotatif à des capacités de chauffage en double zone, ce système assure une uniformité inégalée pour le traitement des poudres, les applications de revêtement et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). L'équipement fournit un environnement stable à haute température atteignant jusqu'à 1500°C, ce qui en fait un outil essentiel pour le développement de céramiques avancées, de matériaux pour batteries et de composants semi-conducteurs.

Conçu pour des environnements de R&D rigoureux et la production industrielle en petites séries, l'appareil excelle dans les applications où l'agitation des matériaux est critique pour obtenir des résultats constants. La fonction de tube rotatif facilite le mouvement continu des matériaux à l'intérieur de la chambre chauffée, empêchant l'agglomération et garantissant que chaque particule est exposée au champ thermique uniforme. Cette capacité, combinée à une isolation en fibre d'alumine de haute pureté et à un contrôle PID sophistiqué, permet des cycles de chauffage et de refroidissement rapides tout en maintenant l'intégrité structurelle des échantillons traités dans des conditions exigeantes.

La fiabilité est au cœur de la conception de ce système. Utilisant des éléments chauffants en carbure de silicium (SiC) de qualité supérieure avec des conceptions de charge de surface optimisées et un entraînement mécanique robuste, l'équipement est conçu pour une cohérence opérationnelle à long terme. Qu'il soit utilisé pour une simple calcination ou une synthèse atmosphérique complexe à plusieurs étapes, cet appareil offre la précision et la durabilité requises par les normes de laboratoire modernes. Les équipes d'approvisionnement industriel peuvent compter sur ce système pour fournir des données reproductibles et une production de matériaux de haute qualité, soutenues par des fonctionnalités de sécurité complètes et des options de configuration modulaires.

Caractéristiques principales

  • Contrôle indépendant de la température à double zone : Le système dispose de deux zones de chauffage contrôlées indépendamment, permettant aux utilisateurs de créer des gradients de température précis ou une zone chaude uniforme plus large. Ceci est particulièrement avantageux pour les processus de sublimation et le transport en phase vapeur où les différentiels de température sont critiques.
  • Éléments chauffants en carbure de silicium (SiC) améliorés : Équipé de tiges en SiC de 14 mm de diamètre (plus grandes que la norme industrielle de 12 mm), le four bénéficie d'une charge de surface plus faible par unité de surface. Cette conception prolonge considérablement la durée de vie des éléments et assure un rayonnement thermique plus stable.
  • Isolation thermique supérieure : La chambre est construite en fibre polycristalline d'alumine de haute pureté, fabriquée par aspiration sous vide et moulage par filtre. Cette technologie d'inspiration japonaise se traduit par une faible capacité thermique, une conduction thermique minimale et une réflectivité élevée pour une efficacité énergétique supérieure.
  • Mécanisme de rotation intégré : La fonction de rotation du tube garantit que les poudres et les matériaux granulaires sont continuellement brassés pendant le cycle de chauffage. Cela favorise une distribution uniforme de la chaleur et l'interaction gaz-solide, essentielle pour les processus de dopage ou de revêtement uniformes.
  • Contrôleur PID avancé à 30 segments : Le système de contrôle intelligent permet des profils thermiques complexes avec jusqu'à 30 segments programmables. Il comprend des fonctions d'auto-ajustement et un réglage de haute précision pour maintenir une stabilité de ±1°C sur toute la plage de fonctionnement.
  • Conception étendue des extrémités froides : Les éléments chauffants présentent des extrémités froides de 210 mm (la norme est de 180 mm), ce qui garantit que les connexions électriques restent à une température plus basse. Ce choix d'ingénierie réduit le stress thermique sur le câblage et améliore la sécurité globale et la longévité du système électrique.
  • Polyvalence complète en matière de vide et d'atmosphère : L'équipement prend en charge une large gamme de niveaux de vide, du pompage mécanique de base aux systèmes de pompe moléculaire à haut vide atteignant 10-3 Pa. Diverses options de brides, y compris des variantes articulées et refroidies par eau, permettent une intégration transparente des outils de distribution et de surveillance des gaz.
  • Protections de sécurité robustes : Des interrupteurs pneumatiques intégrés et des protecteurs de fuite déconnectent automatiquement l'alimentation électrique en cas de surintensité ou de fuite électrique. De plus, le système comprend une protection contre la surchauffe et la rupture de thermocouple pour éviter d'endommager le matériel pendant un fonctionnement sans surveillance.

Applications

Application Description Avantage clé
Calcination de poudre Traitement thermique de matériaux granulaires tout en maintenant un mouvement constant dans le tube rotatif. Empêche le frittage des particules et assure une transformation de phase uniforme.
CVD / PECVD Synthèse de couches minces et de nanomatériaux tels que les nanotubes de carbone ou le graphène. Le contrôle à double zone permet un transport de vapeur et des taux de dépôt précis.
Recherche sur les matériaux de batterie Synthèse et recuit des matériaux de cathode et d'anode sous atmosphères contrôlées. Le chauffage uniforme des poudres conduit à une meilleure cohérence des performances électrochimiques.
Frittage de céramique Traitement à haute température de poudres et précurseurs céramiques avancés. La capacité de 1500°C permet le traitement de céramiques techniques à haut point de fusion.
Préparation de catalyseurs Imprégnation et séchage de supports de catalyseurs impliquant des réactions gaz-solide. La rotation du tube maximise l'exposition de la surface aux gaz réactifs.
Dopage de semi-conducteurs Diffusion de dopants dans des plaquettes ou des poudres de semi-conducteurs à haute température. La haute précision (±1°C) garantit des profils de dopage reproductibles entre les lots.
Matériaux aérospatiaux Test et synthèse de composites et alliages résistants aux hautes températures. Performance fiable lors de cycles de chaleur élevée de longue durée pour la validation R&D.

Spécifications techniques

Spécification TU-GS04-I TU-GS04-II
Température maximale Zone 1 : 1500°C / Zone 2 : 1500°C Zone 1 : 1500°C / Zone 2 : 1500°C
Température nominale Zone 1 : 1400°C / Zone 2 : 1400°C Zone 1 : 1400°C / Zone 2 : 1400°C
Dimensions de la chambre Ø60 (DE) x 1200 mm Ø80 (DE) x 1200 mm
Puissance 9 KW 9 KW
Tension / Phase 220V / Monophasé 220V / Monophasé
Éléments chauffants Tiges en carbure de silicium (SiC) Tiges en carbure de silicium (SiC)
Système de contrôle PID 30 segments avec instrument électrique Yu (standard) PID 30 segments avec instrument électrique Yu (standard)
Précision de contrôle ±1°C ±1°C
Taux de chauffage ≤20°C/min (10°C/min recommandé) ≤20°C/min (10°C/min recommandé)
Type de thermocouple Type S Type S
Longueur de chauffage 300 mm 300 mm
Longueur à température constante 400 - 450 mm 400 - 450 mm
Matériau de la chambre Fibre polycristalline d'alumine Fibre polycristalline d'alumine
Déclencheur Déclencheur à déphasage Déclencheur à déphasage
SCR 106/16E SEMIKRON 106/16E SEMIKRON
Niveaux de vide 10 Pa (standard) à 10-3 Pa (haut vide en option) 10 Pa (standard) à 10-3 Pa (haut vide en option)
Température de surface ≤45°C ≤45°C
Communication Interface RS485 (standard) Interface RS485 (standard)

Pourquoi choisir le TU-GS04

  • Conçu pour la fiabilité : En utilisant des tiges SiC plus épaisses de 14 mm et des extrémités froides plus longues, ce système minimise l'usure des éléments et le stress thermique électrique, offrant une solution plus robuste que les fours de laboratoire d'entrée de gamme.
  • Efficacité thermique inégalée : La chambre en fibre d'alumine de technologie japonaise garantit que l'extérieur reste frais (≤45°C) tout en maintenant des températures internes maximales, réduisant ainsi la consommation d'énergie et la chaleur ambiante du laboratoire.
  • Contrôle multi-zone de précision : La fonctionnalité à double zone permet la création de gradients thermiques complexes, essentiels pour le transport chimique en phase vapeur avancé et l'ingénierie des matériaux, ce que les systèmes à zone unique ne peuvent pas atteindre.
  • Solutions de vide évolutives : Du déplacement de gaz de base aux systèmes moléculaires à haut vide, le four est compatible avec une large gamme de groupes de pompage pour répondre aux exigences spécifiques de pureté expérimentale.
  • Sécurité à la pointe de l'industrie : Les interrupteurs pneumatiques intégrés, la protection contre les fuites et les coupures automatiques en cas de surchauffe protègent à la fois vos recherches et vos installations contre les risques électriques et thermiques.

Contactez notre équipe de vente technique dès aujourd'hui pour un devis personnalisé ou pour discuter de la manière dont notre four tubulaire rotatif à double zone peut être adapté à vos exigences spécifiques de traitement des matériaux.

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