Four tubulaire
Four tubulaire divisé à trois zones 1600°C avec tube en alumine et bride à vide
Numéro d'article: TU-71
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Présentation du produit
Ce système de traitement thermique haute température est conçu pour la recherche sur les matériaux avancés et la R&D industrielle, où le contrôle précis de la température et la flexibilité atmosphérique sont primordiaux. En utilisant une architecture de chauffage à trois zones, l'équipement permet la création de gradients thermiques sophistiqués ou d'une zone de température constante considérablement étendue, ce qui en fait un outil indispensable pour les processus de synthèse complexes. L'équipement est conçu pour fonctionner de manière fiable jusqu'à 1600°C, fournissant l'énergie thermique nécessaire au frittage de céramiques de haute pureté, au dopage de semi-conducteurs et au recuit métallique dans des conditions contrôlées.
Le système dispose d'un corps de four unique et divisible qui facilite un accès rapide à la chambre de traitement. Cette configuration est particulièrement avantageuse pour les chercheurs qui doivent changer fréquemment de tubes de traitement ou surveiller l'état physique des échantillons entre les cycles sans démonter des assemblages de brides complexes. Les secteurs cibles comprennent l'ingénierie aérospatiale, le développement du stockage d'énergie et la fabrication de semi-conducteurs avancés, où l'intégrité de l'environnement thermique dicte directement la qualité du matériau final.
La fiabilité est au cœur de la conception de cette unité. Équipé d'éléments chauffants en carbure de silicium robustes et de thermocouples de type S de haute précision, il maintient des performances constantes même dans des conditions d'utilisation continue exigeantes. Les équipes d'approvisionnement peuvent avoir confiance dans l'intégrité structurelle du tube en alumine de haute pureté et dans l'efficacité du système d'étanchéité sous vide, qui assurent ensemble un environnement vierge pour le traitement des matériaux sensibles. Ce système représente un investissement solide dans la cohérence opérationnelle à long terme et l'ingénierie thermique de haute précision.
Caractéristiques principales
- Contrôle indépendant à trois zones : Ce four intègre trois zones de chauffage distinctes, chacune gérée par son propre contrôleur PID à microprocesseur. Cela permet aux opérateurs d'établir des gradients thermiques précis ou de maintenir une large zone de température uniforme de 350 mm, offrant une flexibilité inégalée pour diverses exigences expérimentales.
- Chauffage haute performance au carbure de silicium : Le système est alimenté par 24 éléments chauffants en carbure de silicium (SiC) de qualité 1600°. Ces éléments sont choisis pour leur stabilité thermique exceptionnelle et leur capacité à atteindre rapidement 1550°C tout en conservant une longue durée de vie opérationnelle dans les environnements industriels.
- Gestion précise de la température par PID : Utilisant un contrôle PID auto-ajustable avancé, le système garantit une précision de +/- 1°C sans dépassement. Chacun des trois contrôleurs prend en charge 30 segments programmables, permettant d'automatiser des cycles complexes de montée en température, de maintien et de refroidissement avec une répétabilité élevée.
- Conception divisée pour une meilleure accessibilité : Le boîtier du four est conçu pour être déverrouillé et ouvert dans le sens de la longueur. Ce choix d'ingénierie simplifie l'installation du tube en alumine, le placement des blocs thermiques et la gestion des échantillons internes, réduisant considérablement les temps d'arrêt entre les cycles expérimentaux.
- Système d'étanchéité sous vide avancé : Équipée de brides d'étanchéité sous vide en acier inoxydable de haute qualité et de joints toriques en silicone, l'unité peut atteindre des niveaux de vide de 10E-2 Torr avec des pompes standard ou 10-5 Torr avec des systèmes moléculaires, garantissant un environnement sans oxygène pour les matériaux sensibles.
- Tube de traitement durable en alumine : L'équipement comprend un tube en alumine de haute pureté de 80 mm de diamètre extérieur capable de résister aux chocs thermiques extrêmes et à la corrosion chimique. Cela rend le système idéal pour les processus impliquant des gaz réactifs ou des poudres de haute pureté nécessitant un récipient non contaminant.
- Sécurité et surveillance intégrées : Les alarmes intégrées de surchauffe et de défaillance de thermocouple fournissent une couche de sécurité essentielle pour un fonctionnement sans surveillance. L'utilisation de thermocouples de type S garantit un retour d'information très précis pour les plages de haute température ciblées par ce système.
- Communication numérique évolutive : Un port de communication PC DB9 standard est intégré, permettant une surveillance à distance et l'enregistrement des données. Cette fonctionnalité est essentielle pour les équipes de R&D industrielle ayant besoin de documenter l'historique thermique et de conserver des enregistrements numériques des cycles de traitement thermique.
Applications
| Application | Description | Avantage clé |
|---|---|---|
| Recherche CVD & PECVD | Synthèse de nanotubes de carbone, graphène et revêtements en couches minces utilisant des gaz précurseurs. | Le profilage précis à trois zones assure un dépôt uniforme du précurseur sur de grandes surfaces. |
| Frittage de céramiques avancées | Densification à haute température de l'alumine, de la zircone et d'autres matériaux céramiques techniques. | La capacité de 1600°C et l'intégrité du vide empêchent l'oxydation pendant le processus de frittage. |
| Dopage de semi-conducteurs | Diffusion contrôlée de dopants dans des plaquettes ou substrats semi-conducteurs. | Une précision de température exceptionnelle de +/- 1°C garantit des propriétés électroniques constantes. |
| Recuit atmosphérique | Traitement thermique d'alliages métalliques ou de verre dans des atmosphères inertes ou réductrices. | Les brides scellées sous vide empêchent la contamination atmosphérique, garantissant la pureté du matériau. |
| Croissance cristalline | Refroidissement thermique graduel à partir d'un bain fondu pour produire des structures monocristallines. | Le contrôle indépendant des zones permet les gradients de température précis requis pour une croissance lente. |
| Synthèse de catalyseurs | Activation à haute température de supports de catalyseurs et de phases actives pour le traitement chimique. | Les éléments SiC robustes fournissent les hautes températures soutenues nécessaires à une activation efficace. |
| Métallurgie des poudres | Frittage de poudres métalliques en composants haute densité pour l'aérospatiale ou l'automobile. | La conception du four divisé permet un chargement facile de plusieurs échantillons à forte masse. |
| Tests de cyclage thermique | Test de composants sous contrainte répétée à haute température pour évaluer la fatigue. | Les contrôleurs programmés à 30 segments automatisent des profils de contrainte thermique complexes pour des tests à long terme. |
Spécifications techniques
| Paramètre | Spécification détaillée (Unité/Valeur) |
|---|---|
| Identifiant du modèle | TU-71 |
| Puissance d'entrée | 9,0 kW |
| Tension de fonctionnement | 208-240VAC, 50/60Hz |
| Température de fonctionnement max. | 1550°C |
| Température de fonctionnement continu | 1500°C |
| Vitesse de chauffe recommandée | < 10°C / minute |
| Éléments chauffants | 24 pcs carbure de silicium (SiC) qualité 1600°C (12mm Diam. x 150mm chauffe x 368mm L) |
| Thermocouples | 3 pcs Thermocouples de type S intégrés |
| Matériau du tube de traitement | Tube en alumine de haute pureté |
| Dimensions du tube de traitement | 80mm D.E x 74mm D.I x 1200mm L |
| Configuration de la zone de chauffe | Trois zones : 200 mm chacune (600 mm longueur totale) |
| Longueur de la zone à temp. constante | 350mm (+/- 2°C) |
| Contrôleur de température | 3x PID à microprocesseur ; 30 segments (rampe, refroidissement, maintien) |
| Précision de la température | +/- 1°C |
| Capacité de vide | 10E-2 Torr (Pompe mécanique) ; 10-5 Torr (Pompe moléculaire) |
| Interface de communication | Port PC DB9 par défaut (Module de contrôle PC en option disponible) |
| Système de bride | Brides scellées sous vide avec joints toriques en silicone inclus |
| Pression interne maximale | < 0,02 MPa (0,2 bar / 3 PSI) |
| Caractéristiques de sécurité | Alarme de surchauffe, alarme de défaillance de thermocouple |
| Conformité | Certifié CE (NRTL ou CSA disponible moyennant des frais supplémentaires) |
| Câble d'alimentation | 10 pieds (env. 3m) robuste 10-3 AWG approuvé UL (Prise non incluse) |
Pourquoi choisir ce système de traitement thermique
- Précision thermique supérieure : L'architecture de contrôle indépendant à trois zones permet une zone de température uniforme massive de 350 mm, réduisant considérablement la marge d'erreur pour le traitement de matériaux en grands lots.
- Durabilité de qualité industrielle : Construit avec des éléments chauffants en SiC de qualité 1600°C et des tubes en alumine robustes, ce four est conçu pour résister aux rigueurs de la production industrielle continue et de la recherche à haute température.
- Contrôle atmosphérique polyvalent : Que votre processus nécessite un vide poussé ou un environnement de gaz inerte à basse pression, le système avancé de brides et d'étanchéité fournit l'isolation nécessaire à la synthèse moderne des matériaux.
- Ingénierie de précision et sécurité : Avec une certification CE complète et l'option de mises à niveau NRTL/CSA, ce système répond aux normes mondiales les plus strictes en matière de sécurité en laboratoire et industrielle, assurant une tranquillité d'esprit lors de projets à long terme.
- Options de contrôle personnalisables : Au-delà des contrôleurs PID de haute précision standard, le système prend en charge des mises à niveau vers des contrôles Eurotherm pour une précision encore plus élevée et des logiciels basés sur Labview pour une gestion complète des données.
Notre équipe d'ingénieurs est prête à vous aider à configurer l'environnement thermique idéal pour vos exigences d'application spécifiques. Contactez-nous dès aujourd'hui pour une consultation technique ou un devis formel.
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