Four RTP
Four tubulaire divisé haute température 1200°C avec mécanisme de déplacement interne pour la recherche HPCVD et la croissance cristalline
Numéro d'article: TU-RT07
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Présentation du produit
Ce système de traitement haute température est un four tubulaire divisé sophistiqué de 2 pouces, conçu pour la synthèse avancée de matériaux et la recherche thermique. Au cœur de l'unité, un mécanisme de déplacement interne spécialisé permet aux chercheurs de contrôler avec précision la position de la nacelle ou du creuset à l'intérieur de la chambre de chauffe sous vide. Cette capacité est fondamentale pour les processus nécessitant un mouvement dynamique à travers un gradient thermique, offrant une plateforme polyvalente pour le dépôt chimique en phase vapeur hybride (HPCVD) et la croissance cristalline de haute pureté. La conception du four divisé améliore encore l'efficacité opérationnelle, permettant un refroidissement rapide et un accès facile au tube de traitement.
Conçu pour les environnements de laboratoire les plus exigeants, cet équipement est un outil essentiel pour les chercheurs en science des matériaux, en développement de semi-conducteurs et en chimie du solide. En facilitant le traitement thermique multifonctionnel — y compris l'évaporation thermique rapide (RTE) et la croissance cristalline de Bridgman horizontale — le système permet aux utilisateurs d'explorer des structures cristallines de nouvelle génération et des couches de couches minces complexes. L'intégration de quartz de haute pureté et de composants en acier inoxydable de précision garantit que l'environnement de traitement reste exempt de toute contamination, même lors d'opérations à des températures atteignant 1200°C.
La fiabilité et la cohérence sont les marques de fabrique de cette unité de traitement thermique. Construit avec des éléments chauffants de qualité industrielle et un système d'entraînement robuste contrôlé par API, il offre des performances reproductibles sur des centaines de cycles. La combinaison d'une régulation de température PID avancée et d'une précision mécanique garantit le maintien des conditions expérimentales avec une précision extrême. Qu'il soit utilisé pour le développement de prototypes à petite échelle ou pour la caractérisation fondamentale des matériaux, ce système offre la stabilité et le contrôle nécessaires à la R&D industrielle de pointe et à la recherche universitaire à enjeux élevés.
Caractéristiques principales
- Mécanisme de déplacement interne de précision : L'équipement est équipé d'un moteur pas à pas spécialisé de 24VDC, 100W qui entraîne la nacelle d'échantillon à l'intérieur du tube de quartz. Cela permet un mouvement linéaire contrôlé jusqu'à 100 mm à vitesse constante, essentiel pour la solidification directionnelle et l'exposition thermique graduée.
- Contrôle intégré par écran tactile API : Une interface numérique centralisée gère à la fois le profil thermique et la distance de déplacement mécanique. Cette intégration permet aux utilisateurs de synchroniser les changements de température avec le positionnement de l'échantillon, une exigence critique pour les protocoles complexes de dépôt en phase vapeur.
- Capacité de traitement thermique rapide (RTP) : En déplaçant l'échantillon dans ou hors d'une zone chaude préchauffée, ce système peut atteindre des vitesses de chauffage et de refroidissement nettement supérieures à celles des fours stationnaires, imitant efficacement les conditions RTP pour le recuit de couches minces.
- Champ thermique en quartz de haute pureté : Le système utilise un tube de traitement en quartz de qualité supérieure, offrant une excellente inertie chimique et une résistance aux chocs thermiques. Cela garantit qu'aucune impureté n'est introduite dans l'atmosphère de réaction, même lors de réactions en phase gazeuse à haute température.
- Contrôle supérieur du vide et de l'atmosphère : L'unité dispose de brides étanches au vide avec des soufflets en acier inoxydable qui restent hermétiques même lorsque le mécanisme interne est en mouvement. Cela permet un traitement stable sous vide poussé ou dans des environnements de gaz inerte contrôlés.
- Régulation de température PID avancée : Utilisant un contrôleur programmable à 30 étapes avec technologie de relais statique, le système maintient une précision de ±1°C. Cela garantit une zone de température constante de 60 mm, essentielle pour maintenir des taux de croissance cristalline uniformes.
- Ingénierie du four divisé : La conception à charnière divisée du corps du four permet un refroidissement rapide du tube et facilite l'échange rapide des échantillons ou des tubes de traitement, maximisant ainsi le débit du laboratoire.
- Options multi-zones extensibles : Pour les processus nécessitant des gradients thermiques plus complexes, l'unité peut être mise à niveau vers une configuration à double zone, offrant des zones de température constante étendues ou des gradients plus raides selon les besoins de l'application.
Applications
| Application | Description | Avantage clé |
|---|---|---|
| HPCVD | Dépôt chimique en phase vapeur hybride impliquant des gaz réactifs et de la vapeur d'évaporation. | Contrôle précis du mélange gazeux et de l'emplacement du dépôt. |
| RTE | Évaporation thermique rapide où les matériaux sont déplacés dans la zone chaude pour un changement de phase vapeur instantané. | Minimise le stress thermique sur les substrats et améliore la pureté du film. |
| Croissance Bridgman | Croissance de monocristaux en déplaçant un creuset à travers un gradient thermique contrôlé. | Améliore l'intégrité structurelle du cristal grâce à une solidification stable. |
| Synthèse de CNT | Synthèse de nanotubes de carbone alignés verticalement à l'aide de gaz porteurs et réactifs. | Distribution uniforme de la source de carbone et environnement thermique stable. |
| Recuit de couches minces | Chauffage et refroidissement rapides des couches déposées pour modifier la structure des grains. | Contrôle précis des transitions de phase et des propriétés des matériaux. |
| Solidification directionnelle | Contrôle de la direction de refroidissement des matériaux fondus pour influencer la microstructure. | Amélioration des propriétés mécaniques et de l'alignement des grains dans les alliages. |
| Dopage de semi-conducteurs | Introduction d'impuretés dans les plaquettes de semi-conducteurs à des températures spécifiques. | Haute uniformité sur la surface de l'échantillon via le contrôle du mouvement. |
| Transport en phase vapeur | Utilisation d'agents de transport chimique pour faire croître des cristaux de haute pureté à partir de la vapeur. | Excellent contrôle spatial des zones de source et de croissance. |
Spécifications techniques
Configuration du système : TU-RT07
| Caractéristique | Détails des spécifications |
|---|---|
| Alimentation | 208 - 240 VAC, 50/60Hz, 1,2 KW Max |
| Temp. de travail max. | 1200°C (court terme) ; 1100°C (continu) |
| Dimensions du tube de quartz | 50mm D.E. x 44mm D.I. x 450mm L |
| Longueur de la zone de chauffe | 200 mm (8") |
| Zone de température constante | 60 mm (±1°C à 1000°C) |
| Contrôle de la température | Contrôle automatique PID, programmable en 30 étapes |
| Précision du contrôle | ±1°C via thermocouple type K |
| Mécanisme de déplacement | Moteur pas à pas 24VDC (100W) |
| Distance de déplacement max. | 100 mm (à l'intérieur du tube scellé sous vide) |
| Vitesse de déplacement | 180 mm/min (constante) |
| Brides à vide | Collier rapide 2" avec raccords 1/4" et vanne à aiguille |
| Niveau de vide | 10^-2 torr (pompe mécanique) ; 10^-5 torr (turbopompe) |
| Conformité de sécurité | Certifié CE (NRTL/CSA disponible sur demande) |
| Nacelle d'échantillon | Nacelle mini-creuset 50 x 20 x 20mm (~20ml) |
Vitesses de chauffage et de refroidissement typiques (via le mouvement de l'échantillon)
| Plage de température | Vitesse de chauffage (Max) | Vitesse de refroidissement (Max) |
|---|---|---|
| 950°C - 850°C | 0,5°C/sec | 7°C - 10°C/sec |
| 650°C - 550°C | 1,0°C - 2,0°C/sec | 1,5°C - 2,0°C/sec |
| 250°C - 150°C | 10°C/sec | N/A |
Pourquoi choisir ce système
- Conçu pour la précision : Ce système n'est pas seulement un four, mais un instrument de précision, combinant un contrôle thermique de haute précision avec un mouvement mécanique fiable pour des résultats scientifiques reproductibles.
- Plateforme de recherche polyvalente : La capacité d'effectuer des processus HPCVD, RTE et la croissance Bridgman dans une seule unité en fait une solution exceptionnellement rentable pour les laboratoires de matériaux multidisciplinaires.
- Construction robuste : Utilisant du quartz de haute pureté et des composants électroniques de qualité industrielle, l'équipement est conçu pour une cohérence opérationnelle à long terme dans des conditions de vide poussé et de haute température.
- Solutions personnalisables : Nous proposons une personnalisation étendue, y compris des modifications du porte-échantillon (AIN ou Graphite), un contrôle de déplacement à vitesse variable et des systèmes de distribution de gaz multicanaux pour répondre aux besoins de recherche spécifiques.
- Conformité complète : La certification CE garantit que le système répond aux normes de sécurité rigoureuses, avec des certifications NRTL ou CSA optionnelles disponibles pour les exigences spécifiques des laboratoires.
Ce four conçu avec précision représente un investissement de premier ordre dans les capacités de recherche de votre établissement. Contactez notre équipe de vente technique dès aujourd'hui pour discuter de vos besoins de processus spécifiques ou pour demander un devis formel pour une solution thermique personnalisée.
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