Four tubulaire coulissant double 1200°C avec deux tubes et brides pour procédés PECVD

Four RTP

Four tubulaire coulissant double 1200°C avec deux tubes et brides pour procédés PECVD

Numéro d'article: TU-RT11

Température maximale: 1200°C Puissance du générateur RF: 5 - 300W réglable Vitesse de chauffage/refroidissement: Jusqu'à 15°C/sec
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Présentation du produit

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Ce système de four coulissant double haute température représente une solution sophistiquée pour le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et le traitement thermique rapide. En intégrant deux unités de chauffage indépendantes sur un rail coulissant de précision, l'équipement permet un contrôle inégalé des gradients thermiques et des vitesses de transition. Il est spécifiquement conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des chercheurs en science des matériaux qui ont besoin de réactions en phase vapeur précises et d'un dépôt de couches minces de haute qualité à travers diverses zones thermiques.

Principalement utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs, la synthèse de nanomatériaux et la recherche sur les revêtements avancés, ce système excelle dans les environnements où un chauffage et un refroidissement rapides sont essentiels pour obtenir des phases matérielles spécifiques. La configuration à double four permet la séparation physique des zones d'évaporation du précurseur et de dépôt sur le substrat, une exigence clé pour la croissance de matériaux complexes comme les pérovskites ou les cristaux 2D. Les secteurs cibles comprennent l'aérospatiale, le stockage d'énergie et l'optoélectronique, où la pureté des matériaux et l'intégrité structurelle sont primordiales pour le développement des technologies de nouvelle génération.

Conçue pour une fiabilité de qualité industrielle, l'unité utilise du quartz de haute pureté et une isolation thermique avancée pour maintenir une stabilité thermique exceptionnelle. Le mécanisme coulissant robuste et la source de plasma RF intégrée garantissent que l'équipement fonctionne de manière cohérente lors de cycles de fonctionnement continu exigeants. Ce système fournit une plateforme stable et reproductible pour la synthèse à haute température, offrant aux laboratoires industriels et universitaires la confiance nécessaire pour exécuter des protocoles expérimentaux complexes sans compromettre la précision ou la sécurité.

Caractéristiques principales

  • Système coulissant dynamique à double four : L'équipement comprend deux fours indépendants montés sur un rail coulissant en acier chromé de 1200 mm. Cela permet aux chambres de chauffage d'être déplacées manuellement jusqu'à 400 mm, permettant aux utilisateurs de basculer entre les zones d'évaporation de source et de dépôt ou d'obtenir une trempe thermique rapide en éloignant la source de chaleur de l'échantillon.
  • Intégration de plasma RF haute performance : Équipé d'un générateur RF de 13,56 MHz et 300 W avec adaptation automatique, ce système permet le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. La source de plasma permet une croissance de film à des températures nettement inférieures à celles du CVD traditionnel, préservant l'intégrité des substrats sensibles.
  • Capacités de traitement thermique rapide (RTP) : En préchauffant un four et en le faisant glisser sur la zone de traitement, le système peut atteindre des vitesses de chauffage et de refroidissement extrêmes (jusqu'à 15°C/sec dans des plages spécifiques), permettant l'étude de la cinétique à haute température et des processus de recuit rapide.
  • Régulation de température PID de précision : Chaque unité de four est contrôlée par un contrôleur automatique PID dédié doté de 30 segments programmables. Cela garantit une précision de zone de température constante de ±1°C, offrant la cohérence requise pour le dépôt chimique en phase vapeur sensible.
  • Sécurité et durabilité avancées : Les fours utilisent une structure en acier à double couche avec refroidissement par air pour maintenir une basse température de surface externe. Les alarmes de surchauffe intégrées et les systèmes de protection permettent un fonctionnement sûr et sans surveillance pendant les longs cycles de dépôt.
  • Environnement de matériau de haute pureté : Le système comprend un tube en quartz fondu de haute pureté de 50 mm de diamètre extérieur et des brides à vide en acier inoxydable. Cette configuration garantit un environnement propre et étanche au vide, adapté à la synthèse de matériaux de haute pureté et au traitement à basse pression.
  • Contrôle polyvalent du gradient thermique : La conception à double zone permet un chauffage indépendant des précurseurs et des substrats. Ceci est essentiel pour les matériaux ayant des pressions de vapeur différentes, garantissant un équilibre stoechiométrique dans la zone de réaction.
  • Options d'extension modulaires : Le système est conçu pour évoluer avec les besoins de la recherche, prenant en charge des rails coulissants motorisés en option, des systèmes de mélange de gaz multicanaux et des modules de contrôle basés sur PC pour l'enregistrement automatique des données et la gestion des profils.

Applications

Application Description Avantage clé
Cellules solaires à pérovskite Contrôle indépendant des zones d'évaporation MAI et PbX2 pendant le dépôt. Ajustement précis de l'épaisseur du film et de l'uniformité de la taille des grains.
Synthèse de matériaux 2D Croissance CVD à grande échelle de graphène, MoS2 et autres dichalcogénures de métaux de transition. Structure cristalline de haute qualité avec des paramètres de croissance reproductibles.
Nanotubes de carbone (CNT) Croissance PECVD à basse température sur divers substrats utilisant des catalyseurs métalliques. Densité contrôlée, alignement et dommages thermiques réduits sur les substrats.
Couches minces semi-conductrices Dépôt de couches de passivation en nitrure de silicium ou oxyde de silicium. Propriétés diélectriques et adhérence supérieures obtenues avec des budgets thermiques inférieurs.
Microcristaux CsPbBr3 Fourniture de gradients de température distincts (par exemple, 780°C et 465°C) pour des précurseurs disparates. Rapport stoechiométrique idéal et pureté de phase dans la zone de réaction.
Études de trempe thermique Déplacement rapide de la chambre de chauffage pour induire des chutes de température soudaines. Capacité à figer les phases à haute température pour l'analyse métallurgique.
Revêtements optoélectroniques Dépôt d'oxydes conducteurs transparents et de filtres interférentiels multicouches. Clarté optique exceptionnelle et épaisseur de film constante sur tout le lot.

Spécifications techniques

Paramètre Détails pour TU-RT11
Numéro d'article TU-RT11
Structure du four Unités doubles indépendantes, acier double couche avec refroidissement par air
Température de travail max. 1200°C (< 1 heure)
Température de travail continue 1100°C
Longueur de la zone de chauffage 200 mm par four (400 mm au total)
Zone de température constante 60 mm (±1°C @ 400-1200°C)
Mécanisme coulissant Rail manuel en acier chromé, longueur 1200 mm, course 400 mm
Vitesse de chauffage (RT-150°C) 15°C/sec
Vitesse de chauffage (150-250°C) 10°C/sec
Vitesse de chauffage (250-350°C) 7°C/sec
Vitesse de chauffage (350-500°C) 4°C/sec
Vitesse de refroidissement (1000-950°C) 15°C/sec
Vitesse de refroidissement (950-900°C) 10°C/sec
Vitesse de refroidissement (500-400°C) 1°C/sec
Générateur RF plasma 13,56 MHz, 5-300W réglable, stabilité ± 1%
Adaptation RF Automatique
Tube de traitement Quartz fondu de haute pureté, 50 mm D.E. x 44 mm D.I. x 1500 mm L
Contrôle de température Contrôleurs PID doubles, 30 segments, précision ±1°C
Thermocouple Deux thermocouples de type K
Niveau de vide Limité à 1000°C pour le quartz ; < 0,2 bar / 3 psi
Exigences d'alimentation AC 120V ou 208-240V monophasé, 50/60 Hz, 2,5 KW au total
Conformité Certifié CE (générateur de plasma et four)

Pourquoi choisir le TU-RT11

  • Polyvalence avancée à double zone : Contrairement aux fours tubulaires standard, la conception coulissante double du TU-RT11 permet un traitement thermique complexe à plusieurs étapes et une gestion indépendante des précurseurs, ce qui est essentiel pour la science des matériaux moderne.
  • Agilité thermique supérieure : La capacité d'atteindre des vitesses de refroidissement et de chauffage allant jusqu'à 15°C/sec fournit aux chercheurs un outil capable de simuler des environnements de traitement thermique rapide (RTP) et de trempe industriels.
  • Ingénierie de précision : Avec une adaptation RF automatique et une précision de température de ±1°C, ce système élimine les variables dans le PECVD, garantissant que votre dépôt de couches minces est reproductible et de la plus haute qualité.
  • Conformité et sécurité complètes : Chaque unité est certifiée CE et construite avec des structures de sécurité à double couche, garantissant un environnement de laboratoire sûr même pendant les opérations RF haute température et haute puissance.
  • Solutions personnalisables : Des tubes en alliage pour les applications haute pression au coulissement motorisé et à la distribution de gaz multicanaux, nous offrons une personnalisation étendue pour adapter l'équipement à vos objectifs de recherche spécifiques.

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