Four RTP
Four de PECVD compact à glissière automatique max. 1200 °C avec tube de 2 pouces et pompe à vide
Numéro d'article: TU-RT13
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Aperçu du produit
Ce système de traitement thermique haute performance est une solution compacte de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), conçue spécifiquement pour la recherche avancée sur les matériaux et le développement de couches minces. En intégrant un puissant générateur de plasma RF avec un four tubulaire fendu de précision, l’équipement permet aux chercheurs d’obtenir une qualité de film supérieure à des températures nettement plus basses que les procédés CVD conventionnels. La proposition de valeur fondamentale réside dans son mécanisme coulissant unique, qui permet de déplacer rapidement la zone de chauffe vers l’emplacement de l’échantillon, facilitant une exposition instantanée aux hautes températures et des cycles de refroidissement accélérés pour un contrôle sans précédent de la microstructure et de la formation des phases.
Conçu principalement pour la R&D en laboratoire et la science des matériaux industrielle, ce système est idéal pour le dépôt d’une grande variété de films, notamment des oxydes de silicium, des nitrures et du silicium amorphe. Sa polyvalence en fait un équipement incontournable pour les laboratoires spécialisés dans les semi-conducteurs, le photovoltaïque et les nanotechnologies. Son encombrement réduit permet une intégration fluide dans les environnements de laboratoire existants sans compromettre les capacités de haut vide et de haute température requises pour une synthèse de matériaux de qualité professionnelle.
La fiabilité est au cœur de la conception de cette unité. Construite avec des composants de qualité industrielle, notamment un puissant générateur RF de 13,56 MHz et des tubes de traitement en quartz de haute pureté, le système offre des performances constantes dans des cycles de service exigeants. L’intégration de brides de haut vide et d’une pompe à vide à deux étages garantit un environnement propre et contrôlé pour les procédés sensibles de dépôt chimique en phase vapeur, offrant aux chercheurs la confiance nécessaire pour exécuter des protocoles expérimentaux complexes en plusieurs étapes avec une précision reproductible.
Caractéristiques clés
- Mécanisme de glissière automatique intégré : Le four est monté sur un système de rails de précision robuste, permettant la translation rapide de la zone de chauffe. Cette conception permet un chauffage et un refroidissement instantanés de l’échantillon, ce qui est essentiel pour contrôler la croissance des grains et tremper les phases métastables.
- Génération de plasma RF à haut rendement : Équipé d’un générateur RF de 300 W fonctionnant à 13,56 MHz, le système produit une décharge plasma stable. Cela permet aux réactions chimiques de se produire à des températures de substrat réduites, protégeant les matériaux sensibles à la chaleur et diminuant les contraintes thermiques dans les films déposés.
- Gestion précise de la température : L’équipement utilise un système de chauffe de 300 watts contrôlé par un régulateur PID numérique programmable à 30 segments. Cela garantit une précision de ±1 °C et permet l’exécution automatique de profils thermiques complexes, notamment les phases de montée en température, de maintien et de refroidissement.
- Intégrité sous vide supérieure : Doté de brides sous vide en acier inoxydable 304 avec doubles joints toriques, le système atteint un état de haut vide de 3 x 10E-3 torr. L’inclusion d’une jauge Pirani numérique et de vannes à aiguille de haute qualité permet un contrôle minutieux de l’atmosphère de traitement.
- Conception du four fendu : Le corps du four est conçu comme une unité à charnière fendue, ce qui facilite le chargement et le déchargement des échantillons, le remplacement rapide du tube de traitement et un refroidissement naturel plus rapide lorsque le mécanisme coulissant n’est pas utilisé.
- Contrôle amélioré de la stœchiométrie : En modulant la puissance du plasma, les débits de gaz et la pression, les utilisateurs peuvent exercer un contrôle précis sur la composition chimique et la contrainte du film des matériaux déposés, ce qui en fait un outil hautement flexible pour des applications de revêtement spécialisées.
- Sécurité et conformité renforcées : Le système est certifié CE et intègre des dispositifs de protection tels qu’un séparateur de brouillard d’huile pour la pompe à vide ainsi que des options de surveillance de l’oxygène afin d’éviter toute oxydation indésirable pendant les cycles de dépôt sensibles.
Applications
| Application | Description | Avantage clé |
|---|---|---|
| Diélectriques pour semi-conducteurs | Dépôt de couches de SiO2, Si3N4 et SiOxNy pour l’isolation de grille et la passivation. | Excellente conformalité et grande rigidité diélectrique à basse température de traitement. |
| Revêtements photovoltaïques | Application de revêtements antireflet et de couches de silicium amorphe (a-Si:H) pour améliorer le rendement des cellules solaires. | Absorption lumineuse améliorée et recombinaison de surface réduite grâce à des propriétés optiques réglables. |
| Fabrication MEMS | Création de couches structurelles et sacrificielles pour les systèmes microélectromécaniques. | Le dépôt de films à faible contrainte empêche la déformation des microstructures délicates. |
| Nanomatériaux carbonés | Croissance de nanotubes de carbone (CNT) et de graphène par synthèse assistée par plasma. | Croissance contrôlée à des températures plus basses que le CVD thermique, permettant un choix plus large de substrats. |
| Couches minces optiques | Dépôt de revêtements optiques multicouches avec des indices de réfraction spécifiques pour les lentilles et les capteurs. | Contrôle précis de la stœchiométrie et de l’épaisseur du film pour des performances optiques prévisibles. |
| Passivation protectrice | Revêtement de composants électroniques sensibles pour les protéger de l’humidité et de la corrosion chimique. | Couverture uniforme et sans trous d’épingle sur des géométries 3D complexes et des fils de liaison. |
Spécifications techniques
| Composant | Paramètre | Spécification (Modèle : TU-RT13) |
|---|---|---|
| Unité de four | Longueur de la zone de chauffe | 8" (200 mm) |
| Zone de température constante | 2,3" (60 mm) à +/- 1 °C à 1000 °C | |
| Température de fonctionnement max. | 1200 °C (pour < 60 min) | |
| Température continue | 1100 °C | |
| Dimensions du tube | Quartz de haute pureté, 2" D.E. x 1,7" D.I. x 39,4" L | |
| Contrôle de la température | PID programmable à 30 segments | |
| Puissance d’entrée | 208 – 240 V AC, 1,2 kW | |
| Générateur RF | Puissance de sortie | Réglable de 5 à 300 W, stabilité de ±1 % |
| Fréquence RF | 13,56 MHz ± 0,005 % | |
| Puissance réfléchie | 200 W max. | |
| Adaptation / Port | Automatique / femelle type N (50 Ω) | |
| Bruit / Refroidissement | <50 dB / refroidissement par air | |
| Système de vide | Type de pompe à vide | À palettes rotatives à deux étages, 220 L/min (7,8 CFM) |
| Niveau de vide max. | 3 x 10E-3 torr | |
| Puissance de la pompe | 208 - 240 V, 750 W max. | |
| Matériau de la bride | Acier inoxydable 304 avec raccords KF-25/KF-16 | |
| Surveillance | Jauge Pirani numérique intégrée | |
| Données physiques | Dimensions hors tout | 1500 mm x 600 mm x 1200 mm (L x l x H) |
| Poids net | 350 lb | |
| Poids d’expédition | 480 lb | |
| Conformité | Certifié CE (NRTL/TUV disponible sur demande) |
Pourquoi choisir ce système PECVD
- Polyvalence thermique inégalée : La combinaison d’un rail à glissière automatique et du dépôt assisté par plasma offre une fenêtre expérimentale plus large que les fours standard, prenant en charge à la fois le traitement thermique rapide et les réactions chimiques à basse température.
- Ingénierie de précision : Chaque composant, du générateur RF de 13,56 MHz à l’ensemble sous vide en acier inoxydable, est sélectionné pour sa capacité à maintenir des tolérances industrielles rigoureuses sur le long terme.
- Intégration complète : Ce système est livré comme une solution complète comprenant le four, le générateur de plasma, la pompe à vide et le matériel de surveillance, ce qui réduit le temps d’installation et garantit la compatibilité des composants.
- Évolutif et personnalisable : Avec des options de stations de mélange de gaz multicanaux, de systèmes de vaporisation de liquides et de contrôle logiciel avancé, l’unité peut être adaptée aux budgets de recherche et aux exigences techniques spécifiques.
- Fiabilité éprouvée : Conçu pour dépasser les normes de laboratoire, cet équipement bénéficie d’un réseau de service mondial et d’un engagement en faveur d’une fabrication de haute qualité, garantissant la protection de votre investissement en R&D.
Contactez dès aujourd’hui notre équipe commerciale technique pour demander un devis ou discuter de la manière dont nous pouvons personnaliser ce système PECVD pour vos besoins spécifiques en dépôt de couches minces.
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