Système PECVD de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma rotatif incliné pour le dépôt de couches minces et la synthèse de nanomatériaux

Machine PECVD

Système PECVD de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma rotatif incliné pour le dépôt de couches minces et la synthèse de nanomatériaux

Numéro d'article: TU-PE02

Degré de vide ultime: ≤5×10-5Pa Puissance de sortie plasma: 500W—1000W Précision de contrôle de la température: ±0.5℃
Qualité Assurée Fast Delivery Global Support

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Présentation du produit

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Ce système avancé de traitement thermique amélioré par plasma représente un sommet de la technologie de dépôt de couches minces, spécialement conçu pour les chercheurs et les industriels qui nécessitent des revêtements de haute pureté. En intégrant un mécanisme rotatif incliné avec des capacités de dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma (PECVD), l'équipement permet la création de couches solides à partir de précurseurs en phase vapeur à des températures bien plus basses que le CVD thermique traditionnel. Cette capacité est essentielle pour le traitement de substrats sensibles à la température, y compris les matériaux à bas point de fusion et les structures composites complexes, sans compromettre l'intégrité du matériau sous-jacent.

Le système est conçu comme un poste de travail polyvalent pour la science des matériaux, la microélectronique et la nanotechnologie. Il facilite la croissance de diélectriques, de semi-conducteurs et de couches métalliques de haute qualité grâce à un environnement précisément contrôlé où le plasma, plutôt que la chaleur seule, active les gaz sources. Cet équipement est particulièrement efficace pour les applications dans l'éclairage LED, les semi-conducteurs de puissance et la fabrication de dispositifs MEMS, offrant une plateforme robuste à la fois pour les processus standardisés et le développement de matériaux expérimentaux dans des environnements exigeants de laboratoire et de production pilote.

Conçu pour une fiabilité opérationnelle à long terme, cet équipement dispose d'une architecture sous vide en acier inoxydable 316 de haute qualité et d'une automatisation avancée. L'intégration de pompes à vide haute performance et de régulateurs de débit massique précis garantit des résultats cohérents et reproductibles sur des milliers de cycles. Qu'il soit utilisé pour la synthèse de matériaux 2D comme le graphène ou le dépôt de revêtements optiques protecteurs, le système offre la précision technique et la durabilité mécanique requises pour la recherche et développement industrielle rigoureuse.

Caractéristiques clés

  • Précision du dépôt à basse température : En utilisant un plasma à haute énergie pour stimuler les réactions chimiques, ce système obtient une formation de couche supérieure à des températures aussi basses que 200°C à 450°C. Cela protège les substrats délicats et réduit le bilan thermique de l'ensemble du processus de fabrication.
  • Mécanisme rotatif incliné : L'architecture unique de porte-échantillon rotatif, réglable de 0 à 20 tr/min, assure une uniformité exceptionnelle du revêtement sur toute la surface du substrat. Cela est particulièrement bénéfique pour les géométries complexes et pour prévenir l'épuisement localisé des précurseurs lors d'un dépôt à haut débit.
  • Architecture sous vide haute performance : La chambre est construite en acier inoxydable 316 et supportée par un système de pompage en deux étapes, comprenant une pompe turbomoléculaire de grande capacité. Cette configuration atteint un vide ultime de ≤5×10-5Pa, assurant un environnement sans contamination pour la croissance de matériaux sensibles.
  • Contrôle avancé de la puissance du plasma : Équipé à la fois d'options d'alimentation DC et RF (500W-1000W), le système propose des modes de couplage flexibles, notamment inductif couplé ou capacitif à plaque. Cela permet aux utilisateurs d'adapter la densité et l'énergie du plasma aux exigences spécifiques des précurseurs.
  • Contrôle de débit massique à quatre canaux : Un système d'alimentation en gaz sophistiqué doté de quatre canaux MFC indépendants permet le mélange précis de précurseurs et de gaz porteurs, permettant la synthèse de composés ternaires et quaternaires complexes avec une stœchiométrie exacte.
  • Gestion thermique PID de précision : En utilisant un contrôleur PID SHIMADEN de haute précision, le système maintient une stabilité de température dans une plage de ±0,5℃. Ce niveau de contrôle est essentiel pour maintenir des vitesses de réaction et une morphologie de couche constantes tout au long du cycle de dépôt.
  • Conception robuste de la chambre : La chambre sous vide de 500 mm x 550 mm dispose d'un orifice d'observation pleine vue avec un déflecteur de protection, permettant aux opérateurs de surveiller en toute sécurité la décharge de plasma et le processus de dépôt en temps réel sans compromettre l'intégrité thermique ou sous vide.
  • Adhérence et qualité supérieures de la couche : La nature énergétique du processus de dépôt par plasma donne des couches avec une excellente adhérence aux substrats, une densité élevée et un minimum de trous d'épingle, réduisant considérablement le risque de fissuration ou de délaminage du produit fini.

Applications

Application Description Avantage clé
Semi-conducteurs de puissance Dépôt de couches isolantes, d'oxydes de grille et de couches de passivation SiNx sur des wafers GaN ou SiC. Protège l'intégrité du dispositif grâce à un traitement à faible bilan thermique.
Fabrication de MEMS Production de couches minces de haute qualité pour micro-actionneurs, capteurs et composants structurels. Fournit des revêtements uniformes et résistants à la fissuration sur des microstructures 3D complexes.
Cellules solaires à couches minces Croissance de films de silicium amorphe et microcristallin pour dispositifs photovoltaïques à haut rendement. Permet des vitesses de dépôt élevées sur de grandes surfaces avec des propriétés électroniques constantes.
Revêtements optiques Application de couches antireflet et de filtres optiques sur des substrats en verre ou en plastique. Assure un contrôle précis de l'épaisseur et une clarté optique élevée à basse température.
Nanotechnologie Synthèse de nanomatériaux, notamment la croissance de nanotubes de carbone, de nanofils et de graphène. Fournit un contrôle au niveau moléculaire de la morphologie sans nécessiter de catalyseurs métalliques.
Modification de surface Amélioration de composants industriels avec des couches de carbone diamanté (DLC) résistantes à l'usure ou biocompatibles. Améliore considérablement la durée de vie et la performance des composants dans des environnements sévères.
Fabrication LED Dépôt de couches diélectriques et semi-conductrices pour les diodes électroluminescentes à haute luminosité. Optimise l'extraction de lumière et la fiabilité du dispositif grâce à des couches de haute pureté.

Spécifications techniques

Catégorie de paramètre Détail de la spécification Données techniques (Modèle : TU-PE02)
Gestion des substrats Taille du porte-échantillon 1 à 6 pouces
Vitesse de rotation Réglable 0 à 20 tr/min
Performance thermique Température de chauffe maximale ≤800℃
Précision de contrôle ±0,5℃ (Contrôleur PID SHIMADEN)
Gestion des gaz Type de contrôle de débit Régulateur de débit massique (MFC)
Canaux de gaz 4 canaux indépendants
Port d'entrée de gaz Connecteur φ6 VCR
Système sous vide Dimensions de la chambre Φ500mm x 550mm
Matériau de la chambre Acier inoxydable 316
Degré de vide ultime ≤5×10-5Pa
Pompe primaire Pompe à vide à palettes 15L/S
Pompe à haut vide Turbopompe (1200L/s ou 1600L/s)
Capteurs de vide Jauges à ionisation / résistance / à membrane
Ports de vide CF200 (Pompe), KF25 (Décompression)
Source de plasma Type d'alimentation de source Alimentation DC ou alimentation RF
Plage de puissance de sortie 500W — 1000W
Puissance de polarisation 500V
Mode de couplage Inductif couplé ou capacitif à plaque
Exigences d'installation Alimentation électrique AC 220V / 380V ; 50Hz
Consommation électrique nominale 5kW
Méthode de refroidissement Refroidissement par eau en circulation
Caractéristiques physiques Dimensions 900mm x 820mm x 870mm
Poids de l'équipement 200kg
Type d'accès Porte ouverte frontale avec capot en acier inoxydable 304

Pourquoi choisir ce produit

  • Ingénierie avancée à faible bilan thermique : Notre système est spécifiquement optimisé pour produire des couches de qualité industrielle à des températures qui préservent les propriétés des substrats sensibles, offrant un avantage critique pour l'électronique de nouvelle génération.
  • Fiabilité de qualité industrielle : Construit avec de l'acier inoxydable 316 compatible haut vide et des composants premium comme les contrôleurs SHIMADEN, l'appareil est conçu pour un fonctionnement continu dans des environnements exigeants de R&D et de production.
  • Polyvalence de processus inégalée : Avec un mélange de gaz à quatre canaux et des options de plasma hybride RF/DC, les utilisateurs peuvent alterner entre le dépôt de diélectriques, de semi-conducteurs et de revêtements durs avec une reconfiguration minimale.
  • Résultats axés sur la précision : La combinaison du mouvement rotatif du substrat et du contrôle de débit massique de haute précision garantit que l'uniformité et l'épaisseur de la couche sont maintenues dans les tolérances les plus strictes requises par la science des matériaux moderne.
  • Support évolutif et personnalisable : Au-delà des spécifications standard, notre équipe d'ingénierie fournit des services de personnalisation complets pour le matériel et le logiciel, garantissant que l'équipement s'intègre parfaitement à votre flux de processus spécifique.

Pour une consultation détaillée ou pour recevoir un devis officiel adapté à vos besoins spécifiques en matière de couches minces, contactez notre équipe commerciale technique dès aujourd'hui.

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